FDC3601N

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Herstellerteil

FDC3601N

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
72450
Datenblätter online
FDC3601N PDF
Anfrage
  • Serie:PowerTrench®
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual)
  • fet-Funktion:Standard
  • Drain-Source-Spannung (vdss):100V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:1A
  • rds auf (max) @ id, vgs:500mOhm @ 1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:5nC @ 10V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:153pF @ 50V
  • Leistung max:700mW
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Gerätepaket des Lieferanten:SuperSOT™-6
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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