TPD3215M

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Herstellerteil

TPD3215M

Hersteller
Transphorm
Beschreibung
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
22
Datenblätter online
TPD3215M PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • fet-Typ:2 N-Channel (Half Bridge)
  • fet-Funktion:GaNFET (Gallium Nitride)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):600V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:70A (Tc)
  • rds auf (max) @ id, vgs:34mOhm @ 30A, 8V
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:28nC @ 8V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2260pF @ 100V
  • Leistung max:470W
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:Module
  • Gerätepaket des Lieferanten:Module
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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