SH8K52GZETB

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Herstellerteil

SH8K52GZETB

Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
100V NCH+NCH POWER MOSFET. SH8K5
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
3600
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual)
  • fet-Funktion:Standard
  • Drain-Source-Spannung (vdss):100V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:3A (Ta)
  • rds auf (max) @ id, vgs:170mOhm @ 3A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:8.5nC @ 5V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:610pF @ 25V
  • Leistung max:1.4W (Ta)
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-SOP
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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