NTE2960

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Herstellerteil

NTE2960

Hersteller
NTE Electronics, Inc.
Beschreibung
MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
116
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bag
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel
  • fet-Funktion:Standard
  • Drain-Source-Spannung (vdss):900V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:7A
  • rds auf (max) @ id, vgs:2Ohm @ 3A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 1mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1380pF @ 25V
  • Leistung max:40W
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-220-3 Full Pack
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-220 Full Pack
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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