IRF8313TRPBF

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Herstellerteil

IRF8313TRPBF

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
2100
Datenblätter online
IRF8313TRPBF PDF
Anfrage
  • Serie:HEXFET®
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Not For New Designs
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual)
  • fet-Funktion:Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (vdss):30V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:9.7A
  • rds auf (max) @ id, vgs:15.5mOhm @ 9.7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.35V @ 25µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:9nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:760pF @ 15V
  • Leistung max:2W
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-SO
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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