IRF7311PBF

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Herstellerteil

IRF7311PBF

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
HEXFET POWER MOSFET
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
2565
Datenblätter online
IRF7311PBF PDF
Anfrage
  • Serie:HEXFET®
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual)
  • fet-Funktion:Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (vdss):20V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:6.6A
  • rds auf (max) @ id, vgs:29mOhm @ 6A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:700mV @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:27nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:900pF @ 15V
  • Leistung max:2W
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-SO
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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