PDTB113ZQAZ

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Herstellerteil

PDTB113ZQAZ

Hersteller
Nexperia
Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
PDTB113ZQAZ PDF
Anfrage
  • Serie:Automotive, AEC-Q101
  • Paket:Tape & Reel (TR)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (ic) (max):500 mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50 V
  • Widerstand - Basis (r1):1 kOhms
  • Widerstand - Emitter Basis (r2):10 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 50mA, 5V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:100mV @ 2.5mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):500nA
  • Frequenz - Übergang:150 MHz
  • Leistung max:325 mW
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:3-XDFN Exposed Pad
  • Gerätepaket des Lieferanten:DFN1010D-3
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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