DTC115EMT2L

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Herstellerteil

DTC115EMT2L

Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Serie
-
Auf Lager
3189
Datenblätter online
DTC115EMT2L PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (ic) (max):20 mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50 V
  • Widerstand - Basis (r1):100 kOhms
  • Widerstand - Emitter Basis (r2):100 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:82 @ 5mA, 5V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):500nA
  • Frequenz - Übergang:250 MHz
  • Leistung max:150 mW
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SOT-723
  • Gerätepaket des Lieferanten:VMT3
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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