FJV3104RMTF

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Herstellerteil

FJV3104RMTF

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
0.1A, 50V, NPN
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Serie
-
Auf Lager
1216179
Datenblätter online
FJV3104RMTF PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100 mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50 V
  • Widerstand - Basis (r1):47 kOhms
  • Widerstand - Emitter Basis (r2):47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:68 @ 5mA, 5V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang:250 MHz
  • Leistung max:200 mW
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:SOT-23-3
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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