NSVMMUN2113LT3G

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Herstellerteil

NSVMMUN2113LT3G

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP SOT23-3
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
NSVMMUN2113LT3G PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100 mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50 V
  • Widerstand - Basis (r1):47 kOhms
  • Widerstand - Emitter Basis (r2):47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 5mA, 10V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):500nA
  • Frequenz - Übergang:-
  • Leistung max:246 mW
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:SOT-23-3 (TO-236)
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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