Name: RN2105MFV,L3F(CT
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: RN2105MFV,L3F(CT
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: RN2105MFV,L3F(CT

Hersteller: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt

Serie: -

Auf Lager: 7600

Datenblätter online: -

RN2105MFV,L3F(CT Notiz

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Serie:-
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
Transistortyp:PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (ic) (max):100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50 V
Widerstand - Basis (r1):2.2 kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 10mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):500nA
Frequenz - Übergang:250 MHz
Leistung max:150 mW
Befestigungsart:Surface Mount
Paket / Koffer:SOT-723
Gerätepaket des Lieferanten:VESM

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