RN1427TE85LF

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Herstellerteil

RN1427TE85LF

Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
RN1427TE85LF PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (ic) (max):800 mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50 V
  • Widerstand - Basis (r1):2.2 kOhms
  • Widerstand - Emitter Basis (r2):10 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:90 @ 100mA, 1V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:250mV @ 1mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):500nA
  • Frequenz - Übergang:300 MHz
  • Leistung max:200 mW
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:S-Mini
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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