RN1117(TE85L,F)

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Herstellerteil

RN1117(TE85L,F)

Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Serie
-
Auf Lager
2780
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100 mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50 V
  • Widerstand - Basis (r1):10 kOhms
  • Widerstand - Emitter Basis (r2):4.7 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:30 @ 10mA, 5V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):500nA
  • Frequenz - Übergang:250 MHz
  • Leistung max:100 mW
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SC-75, SOT-416
  • Gerätepaket des Lieferanten:SSM
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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