DDTD123EU-7-F

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Herstellerteil

DDTD123EU-7-F

Hersteller
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
DDTD123EU-7-F PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (ic) (max):500 mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50 V
  • Widerstand - Basis (r1):2.2 kOhms
  • Widerstand - Emitter Basis (r2):2.2 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:39 @ 50mA, 5V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):500nA
  • Frequenz - Übergang:200 MHz
  • Leistung max:200 mW
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SC-70, SOT-323
  • Gerätepaket des Lieferanten:SOT-323
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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