DTC114EMT2L

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Herstellerteil

DTC114EMT2L

Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Serie
-
Auf Lager
300609
Datenblätter online
DTC114EMT2L PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (ic) (max):50 mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50 V
  • Widerstand - Basis (r1):10 kOhms
  • Widerstand - Emitter Basis (r2):10 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:30 @ 5mA, 5V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):500nA
  • Frequenz - Übergang:250 MHz
  • Leistung max:150 mW
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SOT-723
  • Gerätepaket des Lieferanten:VMT3
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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