DTD114EKT146

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Herstellerteil

DTD114EKT146

Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Serie
-
Auf Lager
100000
Datenblätter online
DTD114EKT146 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (ic) (max):500 mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50 V
  • Widerstand - Basis (r1):10 kOhms
  • Widerstand - Emitter Basis (r2):10 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:56 @ 50mA, 5V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):500nA
  • Frequenz - Übergang:200 MHz
  • Leistung max:200 mW
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:SMT3
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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