PDTA113EMB,315

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Herstellerteil

PDTA113EMB,315

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
NOW NEXPERIA PDTA113EMB - SMALL
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Serie
-
Auf Lager
140000
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100 mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50 V
  • Widerstand - Basis (r1):1 kOhms
  • Widerstand - Emitter Basis (r2):1 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:30 @ 40mA, 5V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:150mV @ 1.5mA, 30mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang:180 MHz
  • Leistung max:250 mW
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:3-XFDFN
  • Gerätepaket des Lieferanten:DFN1006B-3
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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