NSVB123JPDXV6T1G

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Herstellerteil

NSVB123JPDXV6T1G

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Serie
-
Auf Lager
52000
Datenblätter online
NSVB123JPDXV6T1G PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • Transistortyp:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
  • Widerstand - Basis (r1):2.2kOhms
  • Widerstand - Emitter Basis (r2):4.7kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 5mA, 10V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):500nA
  • Frequenz - Übergang:-
  • Leistung max:500mW
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SOT-563, SOT-666
  • Gerätepaket des Lieferanten:SOT-563
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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