EMG6T2R

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Herstellerteil

EMG6T2R

Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Serie
-
Auf Lager
3691
Datenblätter online
EMG6T2R PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
  • Widerstand - Basis (r1):47kOhms
  • Widerstand - Emitter Basis (r2):-
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 1mA, 5V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):500nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang:250MHz
  • Leistung max:150mW
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:6-SMD (5 Leads), Flat Lead
  • Gerätepaket des Lieferanten:EMT5
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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