IMB4AT110

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Herstellerteil

IMB4AT110

Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
IMB4AT110 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Not For New Designs
  • Transistortyp:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
  • Widerstand - Basis (r1):10kOhms
  • Widerstand - Emitter Basis (r2):-
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 1mA, 5V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):-
  • Frequenz - Übergang:250MHz
  • Leistung max:300mW
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SC-74, SOT-457
  • Gerätepaket des Lieferanten:SMT6
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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