RN1903FE,LF(CT

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Herstellerteil

RN1903FE,LF(CT

Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung
NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Serie
-
Auf Lager
8000
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
  • Widerstand - Basis (r1):22kOhms
  • Widerstand - Emitter Basis (r2):22kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 10mA, 5V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):500nA
  • Frequenz - Übergang:250MHz
  • Leistung max:100mW
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SOT-563, SOT-666
  • Gerätepaket des Lieferanten:ES6
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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