RN2607(TE85L,F)

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Herstellerteil

RN2607(TE85L,F)

Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Serie
-
Auf Lager
694
Datenblätter online
RN2607(TE85L,F) PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
  • Widerstand - Basis (r1):10kOhms
  • Widerstand - Emitter Basis (r2):47kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 10mA, 5V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang:200MHz
  • Leistung max:300mW
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SC-74, SOT-457
  • Gerätepaket des Lieferanten:SM6
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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