NSBA123TDP6T5G

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Herstellerteil

NSBA123TDP6T5G

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
NSBA123TDP6T5G PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
  • Widerstand - Basis (r1):2.2kOhms
  • Widerstand - Emitter Basis (r2):-
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:160 @ 5mA, 10V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):500nA
  • Frequenz - Übergang:-
  • Leistung max:408mW
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SOT-963
  • Gerätepaket des Lieferanten:SOT-963
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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