IMH23T110

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Herstellerteil

IMH23T110

Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Serie
-
Auf Lager
300000
Datenblätter online
IMH23T110 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (ic) (max):600mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):20V
  • Widerstand - Basis (r1):4.7kOhms
  • Widerstand - Emitter Basis (r2):-
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:820 @ 50mA, 5V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:150mV @ 2.5mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):-
  • Frequenz - Übergang:150MHz
  • Leistung max:300mW
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SC-74, SOT-457
  • Gerätepaket des Lieferanten:SMT6
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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