FF200R12KT3HOSA1

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Herstellerteil

FF200R12KT3HOSA1

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
IGBT MODULE 1200V 1050W
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - Module
Serie
-
Auf Lager
40
Datenblätter online
FF200R12KT3HOSA1 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Aufbau:2 Independent
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):-
  • Leistung max:1050 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.15V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):5 mA
  • Eingangskapazität (cies) @ vce:14 nF @ 25 V
  • Eingang:Standard
  • NTC-Thermistor:No
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 125°C
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:Module
  • Gerätepaket des Lieferanten:Module
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Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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