FS75R12KE3B9BOSA1

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Herstellerteil

FS75R12KE3B9BOSA1

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
FS75R12 - IGBT MODULE
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - Module
Serie
-
Auf Lager
4
Datenblätter online
FS75R12KE3B9BOSA1 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Aufbau:Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1.2 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):105 A
  • Leistung max:355 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.15V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):1 mA
  • Eingangskapazität (cies) @ vce:5.3 nF @ 25 V
  • Eingang:Standard
  • NTC-Thermistor:No
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 125°C
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:Module
  • Gerätepaket des Lieferanten:Module
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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