FF650R17IE4DPB2BOSA1

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Herstellerteil

FF650R17IE4DPB2BOSA1

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
IGBT MODULE 1700V 650A
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - Module
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
FF650R17IE4DPB2BOSA1 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Aufbau:2 Independent
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1700 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):650 A
  • Leistung max:-
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.45V @ 15V, 650A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):5 mA
  • Eingangskapazität (cies) @ vce:54 nF @ 25 V
  • Eingang:Standard
  • NTC-Thermistor:Yes
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:Module
  • Gerätepaket des Lieferanten:Module
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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