NXH35C120L2C2ESG

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Herstellerteil

NXH35C120L2C2ESG

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - Module
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:-
  • Aufbau:Three Phase Inverter with Brake
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):35 A
  • Leistung max:20 mW
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 35A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):250 µA
  • Eingangskapazität (cies) @ vce:8.333 nF @ 20 V
  • Eingang:Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC-Thermistor:Yes
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
  • Gerätepaket des Lieferanten:26-DIP
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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