FZ500R65KE3NOSA1

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Herstellerteil

FZ500R65KE3NOSA1

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
IGBT MODULE 6500V 1000A
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - Module
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
FZ500R65KE3NOSA1 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tray
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:-
  • Aufbau:Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):6500 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):1000 A
  • Leistung max:2000000 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:3.4V @ 15V, 500A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):5 mA
  • Eingangskapazität (cies) @ vce:135 nF @ 25 V
  • Eingang:Standard
  • NTC-Thermistor:No
  • Betriebstemperatur:-50°C ~ 125°C
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:Module
  • Gerätepaket des Lieferanten:Module
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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