FZ1200R17HE4HOSA2

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Herstellerteil

FZ1200R17HE4HOSA2

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
FZ1200R17 - IGBT MODULE
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - Module
Serie
-
Auf Lager
12
Datenblätter online
FZ1200R17HE4HOSA2 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:-
  • Aufbau:Single Switch
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1.7 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):1.2 A
  • Leistung max:7.8 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 1200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):5 mA
  • Eingangskapazität (cies) @ vce:97 nF @ 25 V
  • Eingang:Standard
  • NTC-Thermistor:No
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:Module
  • Gerätepaket des Lieferanten:Module
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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