FS75R12W2T4BOMA1

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Herstellerteil

FS75R12W2T4BOMA1

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
IGBT MOD 1200V 107A 375W
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - Module
Serie
-
Auf Lager
12
Datenblätter online
FS75R12W2T4BOMA1 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tray
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Aufbau:Full Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):107 A
  • Leistung max:375 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.15V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):1 mA
  • Eingangskapazität (cies) @ vce:4.3 nF @ 25 V
  • Eingang:Standard
  • NTC-Thermistor:Yes
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:Module
  • Gerätepaket des Lieferanten:Module
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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