FAM65HR51DS2

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Herstellerteil

FAM65HR51DS2

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT MODULE 650V 33A 135W
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - Module
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:-
  • Aufbau:Half Bridge Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):33 A
  • Leistung max:135 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:-
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):-
  • Eingangskapazität (cies) @ vce:4.86 nF @ 400 V
  • Eingang:Standard
  • NTC-Thermistor:No
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:-
  • Gerätepaket des Lieferanten:-
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Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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