DF80R12W2H3FB11BPSA1

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Herstellerteil

DF80R12W2H3FB11BPSA1

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
IGBT MOD 1200V 20A 20MW
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - Module
Serie
-
Auf Lager
15
Datenblätter online
DF80R12W2H3FB11BPSA1 PDF
Anfrage
  • Serie:EconoPACK™2
  • Paket:Tray
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Aufbau:Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):20 A
  • Leistung max:20 mW
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.7V @ 15V, 20A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):1 mA
  • Eingangskapazität (cies) @ vce:2.35 nF @ 25 V
  • Eingang:Standard
  • NTC-Thermistor:Yes
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:Module
  • Gerätepaket des Lieferanten:Module
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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