GSID100A120T2C1

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Herstellerteil

GSID100A120T2C1

Hersteller
SemiQ
Beschreibung
IGBT MOD 1200V 200A 640W
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - Module
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
GSID100A120T2C1 PDF
Anfrage
  • Serie:Amp+™
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:-
  • Aufbau:Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):200 A
  • Leistung max:640 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 100A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):1 mA
  • Eingangskapazität (cies) @ vce:13.7 nF @ 25 V
  • Eingang:Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC-Thermistor:Yes
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:Module
  • Gerätepaket des Lieferanten:Module
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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