NXH100B120H3Q0PTG

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Herstellerteil

NXH100B120H3Q0PTG

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - Module
Serie
-
Auf Lager
11829
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tray
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Aufbau:2 Independent
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):50 A
  • Leistung max:186 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):200 µA
  • Eingangskapazität (cies) @ vce:9.075 nF @ 20 V
  • Eingang:Standard
  • NTC-Thermistor:No
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:Module
  • Gerätepaket des Lieferanten:22-PIM (55x32.5)
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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