NXH50C120L2C2ES1G

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Herstellerteil

NXH50C120L2C2ES1G

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT MOD 1200V 50A 26DIP
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - Module
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:-
  • Aufbau:Three Phase Inverter with Brake
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):50 A
  • Leistung max:20 mW
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):250 µA
  • Eingangskapazität (cies) @ vce:11.89 nF @ 20 V
  • Eingang:Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC-Thermistor:Yes
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
  • Gerätepaket des Lieferanten:26-DIP
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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