BS2130F-GE2

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Herstellerteil

BS2130F-GE2

Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
pmic - Voll-, Halbbrückentreiber
Serie
-
Auf Lager
54
Datenblätter online
BS2130F-GE2 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Ausgangskonfiguration:Half Bridge (3)
  • Anwendungen:General Purpose
  • Schnittstelle:Logic
  • Ladetyp:Inductive, Capacitive
  • Technologie:Power MOSFET, IGBT
  • rds auf (typisch):-
  • Strom - Ausgang / Kanal:350mA
  • Strom - Spitzenleistung:-
  • Spannungsversorgung:11.5V ~ 20V
  • Spannung - Last:600V (Max)
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 125°C (TA)
  • Merkmale:Bootstrap Circuit
  • Fehlerschutz:Current Limiting, UVLO
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • Gerätepaket des Lieferanten:28-SOP
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Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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Produktkategorie

Audio-Sonderzweck
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