CY14B512J2-SXI

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Herstellerteil

CY14B512J2-SXI

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
IC NVSRAM 512KBIT I2C 8SOIC
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
2179
Datenblätter online
CY14B512J2-SXI PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • Speichertyp:Non-Volatile
  • Speicherformat:NVSRAM
  • Technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße:512Kb (64K x 8)
  • Speicherschnittstelle:I²C
  • Taktfrequenz:3.4 MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:-
  • Zugriffszeit:-
  • Spannungsversorgung:2.7V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-SOIC
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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