BQ4010YMA-70N

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Herstellerteil

BQ4010YMA-70N

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
2234
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Obsolete
  • Speichertyp:Non-Volatile
  • Speicherformat:NVSRAM
  • Technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße:64Kb (8K x 8)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:-
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:70ns
  • Zugriffszeit:70 ns
  • Spannungsversorgung:4.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Gerätepaket des Lieferanten:28-DIP Module (18.42x37.72)
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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Bild Artikelnummer Beschreibung Aktie Einzelpreis Besorgen
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