DS1220Y-120+

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Herstellerteil

DS1220Y-120+

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
416
Datenblätter online
DS1220Y-120+ PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Obsolete
  • Speichertyp:Non-Volatile
  • Speicherformat:NVSRAM
  • Technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße:16Kb (2K x 8)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:-
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:120ns
  • Zugriffszeit:120 ns
  • Spannungsversorgung:4.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Gerätepaket des Lieferanten:24-DIP
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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