70V3579S6BCI8

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Herstellerteil

70V3579S6BCI8

Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
70V3579S6BCI8 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)
  • Teilstatus:Active
  • Speichertyp:Volatile
  • Speicherformat:SRAM
  • Technologie:SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Speichergröße:1.125Mb (32K x 36)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:-
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:-
  • Zugriffszeit:6 ns
  • Spannungsversorgung:3.15V ~ 3.45V
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:256-LBGA
  • Gerätepaket des Lieferanten:256-CABGA (17x17)
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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