AS4C8M16D1-5BINTR

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Herstellerteil

AS4C8M16D1-5BINTR

Hersteller
Alliance Memory, Inc.
Beschreibung
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
AS4C8M16D1-5BINTR PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)
  • Teilstatus:Active
  • Speichertyp:Volatile
  • Speicherformat:DRAM
  • Technologie:SDRAM - DDR
  • Speichergröße:128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:200 MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:15ns
  • Zugriffszeit:700 ps
  • Spannungsversorgung:2.3V ~ 2.7V
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:60-TFBGA
  • Gerätepaket des Lieferanten:60-TFBGA (8x13)
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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