DS1230Y-200IND

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Herstellerteil

DS1230Y-200IND

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
382
Datenblätter online
DS1230Y-200IND PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Obsolete
  • Speichertyp:Non-Volatile
  • Speicherformat:NVSRAM
  • Technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße:256Kb (32K x 8)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:-
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:200ns
  • Zugriffszeit:200 ns
  • Spannungsversorgung:4.5V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Gerätepaket des Lieferanten:28-EDIP
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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