DS1245AB-100

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Herstellerteil

DS1245AB-100

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
2000
Datenblätter online
DS1245AB-100 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Obsolete
  • Speichertyp:Non-Volatile
  • Speicherformat:NVSRAM
  • Technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße:1Mb (128K x 8)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:-
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:100ns
  • Zugriffszeit:100 ns
  • Spannungsversorgung:4.75V ~ 5.25V
  • Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • Gerätepaket des Lieferanten:32-EDIP
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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