CY14B512I-SFXI

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Herstellerteil

CY14B512I-SFXI

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
IC NVSRAM 512KBIT I2C 16SOIC
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
2975
Datenblätter online
CY14B512I-SFXI PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • Speichertyp:Non-Volatile
  • Speicherformat:NVSRAM
  • Technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Speichergröße:512Kb (64K x 8)
  • Speicherschnittstelle:I²C
  • Taktfrequenz:3.4 MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:-
  • Zugriffszeit:-
  • Spannungsversorgung:2.7V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • Gerätepaket des Lieferanten:16-SOIC
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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