CY7C1512KV18-250BZI

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Herstellerteil

CY7C1512KV18-250BZI

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
QDR SRAM, 4MX18, 0.45NS PBGA165
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
57
Datenblätter online
CY7C1512KV18-250BZI PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • Speichertyp:Volatile
  • Speicherformat:SRAM
  • Technologie:SRAM - Synchronous, QDR II
  • Speichergröße:72Mb (4M x 18)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:250 MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:-
  • Zugriffszeit:-
  • Spannungsversorgung:1.7V ~ 1.9V
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:165-LBGA
  • Gerätepaket des Lieferanten:165-FBGA (13x15)
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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