71V424S10YG

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Herstellerteil

71V424S10YG

Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
1480
Datenblätter online
71V424S10YG PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • Speichertyp:Volatile
  • Speicherformat:SRAM
  • Technologie:SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße:4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:-
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:10ns
  • Zugriffszeit:10 ns
  • Spannungsversorgung:3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Gerätepaket des Lieferanten:36-SOJ
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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