CY7C1320KV18-250BZC

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Herstellerteil

CY7C1320KV18-250BZC

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
DDR SRAM, 512KX36, 0.45NS, CMOS,
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
239
Datenblätter online
CY7C1320KV18-250BZC PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • Speichertyp:Volatile
  • Speicherformat:SRAM
  • Technologie:SRAM - Synchronous, DDR II
  • Speichergröße:18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:250 MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:-
  • Zugriffszeit:-
  • Spannungsversorgung:1.7V ~ 1.9V
  • Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:165-LBGA
  • Gerätepaket des Lieferanten:165-FBGA (13x15)
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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