TC58BYG1S3HBAI6

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Herstellerteil

TC58BYG1S3HBAI6

Hersteller
Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Beschreibung
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 67VFBGA
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
338
Datenblätter online
TC58BYG1S3HBAI6 PDF
Anfrage
  • Serie:Benand™
  • Paket:Tray
  • Teilstatus:Active
  • Speichertyp:Non-Volatile
  • Speicherformat:FLASH
  • Technologie:FLASH - NAND (SLC)
  • Speichergröße:2Gb (256M x 8)
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Taktfrequenz:-
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:25ns
  • Zugriffszeit:25 ns
  • Spannungsversorgung:1.7V ~ 1.95V
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:67-VFBGA
  • Gerätepaket des Lieferanten:67-VFBGA (6.5x8)
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Rückgabe / Garantie Rückkehr Rücksendungen werden normalerweise akzeptiert, wenn sie innerhalb von 30 Tagen ab Versanddatum abgeschlossen sind. Bitte wenden Sie sich an den Kundendienst, um eine Rücksendegenehmigung zu erhalten.
Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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