BR25G512FVT-3GE2

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Herstellerteil

BR25G512FVT-3GE2

Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
IC EEPROM 512KBIT SPI 8TSSOP
Kategorie
integrierte Schaltkreise
Familie
Erinnerung
Serie
-
Auf Lager
3431
Datenblätter online
BR25G512FVT-3GE2 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Speichertyp:Non-Volatile
  • Speicherformat:EEPROM
  • Technologie:EEPROM
  • Speichergröße:512Kb (64K x 8)
  • Speicherschnittstelle:SPI
  • Taktfrequenz:10 MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite:5ms
  • Zugriffszeit:-
  • Spannungsversorgung:1.8V ~ 5.5V
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-TSSOP-B
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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